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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐效率的核心存储器吗？MT47H128M8CF-3 L:H TR正是这样一款利器。它拥有1Gb（128M x 8）的大容量存储空间，配合高达333MHz的运行频率和并联接口，能够以惊人的速度处理并行数据流，让您的主控芯片无需等待，极大提升整体运算效率。

这颗芯片采用成熟的DDR2技术，在1.8V左右的电压下工作，在提供强劲性能的同时实现了良好的能效控制。其仅450ps的极快访问时间和15ns的写周期时间，意味着数据读写如行云流水，特别适合应用于对实时性要求苛刻的工业控制、网络通信及高端消费电子等领域。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的数据处理核心。

• 型号:MT47H128M8CF-3 L:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M8CF-3 L:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。