我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F256G08CEECBH6-12:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能让您的设备数据吞吐能力飞跃的核心存储部件吗？MT29F256G08CEECBH6-12:C TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能以高达83MHz的时钟频率高效运作，为您的高速应用提供澎湃的数据带宽。

它让您轻松实现海量数据的快速写入与读取，无论是复杂的程序代码还是持续的视频流，都能稳定、流畅地处理。其2.7V~3.6V的宽电压供电和0°C~70°C的工作温度范围，确保了在各种应用场景下的出色可靠性，是提升您产品竞争力的强大心脏。

• 型号:MT29F256G08CEECBH6-12:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F256G08CEECBH6-12:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。