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MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR 零件图片(仅供参考)

MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
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MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR 规格参数

您正在设计需要快速数据缓冲和暂存的应用吗?MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR正是为您而来的解决方案。这颗128Mb容量的并行移动低功耗SDRAM,能以高达125MHz的时钟频率和仅7ns的快速访问时间运行,确保您的系统在处理图像、音频流或实时传感器数据时无比流畅,彻底告别卡顿与延迟。

更令人心动的是,它在提供高效能的同时,还非常“体贴”您的系统设计。2.3V~2.7V的低电压工作范围,显著降低了整体功耗,特别适合电池供电的便携设备。其紧凑的54-VFBGA封装,让您能在有限的空间内轻松布局,实现产品的小型化与高性能的完美统一。选择它,就是为您的项目选择了一个值得信赖的高性能记忆伙伴。

  • 制造商产品型号:MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:128Mb(8M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:125MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:7ns
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR 基本参数:

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