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您正在寻找一颗能扛重任、确保数据高速稳定的存储芯片吗？MT46V64M8BN-75 IT:D TR正是为您这样的需求而生。这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM，能以133MHz的时钟频率和极高的数据吞吐效率，成为您嵌入式系统或工业控制设备的强力“记忆中枢”。

它能让您的设备在-40°C至85°C的极端温度范围内稳定工作，轻松应对户外、车载、工业自动化等严苛环境。其2.3V~2.7V的低电压供电和高效的并行接口设计，不仅有助于降低整体系统功耗，更能简化您的设计，让您高效实现可靠的数据缓冲与高速处理任务，全面提升终端产品的竞争力与可靠性。

• 制造商产品型号：MT46V64M8BN-75 IT:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：133MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：750ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V64M8BN-75 IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。