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还在为嵌入式系统寻找一颗“大脑”的可靠记忆体吗？M29F800FB5AN6F2 TR就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存芯片，能为您稳定、高效地存储系统固件、应用程序代码或关键参数数据，确保设备在断电重启后也能迅速恢复状态，立即投入工作。

它拥有55ns的快速访问时间，让您的系统读取指令和数据更加迅捷，提升整体响应效率。其宽泛的工作电压（4.5V-5.5V）和强大的温度适应性（-40°C至85°C），意味着它能轻松应对工业现场复杂的电力环境和严苛的气候条件，保障数据万无一失。无论是用于工业控制器、通信模块还是汽车电子单元，它都能成为您产品中默默奉献、坚实可靠的存储核心。

• 型号:M29F800FB5AN6F2 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29F800FB5AN6F2 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。