我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的16Gb并行NAND闪存，能为您提供高达2G x 8位的大容量、非易失存储空间，让您的设备轻松容纳复杂的操作系统、应用程序和用户数据。

它采用83MHz时钟频率和并联接口，确保数据存取高效流畅，显著提升系统响应速度。其2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，赋予了它出色的环境适应性与可靠性，让您的产品即使在苛刻的工业或网络通信环境中也能稳定运行。选择它，就是为您的设计选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。