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您正在寻找一颗能轻松驾驭数据洪流，让系统运行更高效、更稳定的并行DDR内存吗？MT46V32M8FG-6:G TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的256Mb（32M x 8）DDR SDRAM，拥有高达167MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，能为您的高速处理器提供迅捷的数据读写支持，显著减少等待延迟，让您的应用程序运行如飞。

它采用标准的并联接口和60-FBGA表面贴装封装，集成度高，易于在您的PCB板上布局，帮助您节省宝贵的空间。其宽电压范围（2.3V~2.7V）和商业级工作温度（0°C~70°C）设计，确保了在各种应用环境下的出色稳定性和可靠性。无论是用于升级现有设备，还是作为新项目的核心存储单元，它都能让您的设计工作变得更加轻松高效。

• 型号:MT46V32M8FG-6:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
• MT46V32M8FG-6:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。