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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？让MT40A512M8RH-083E AAT:B为您带来颠覆性的体验。这颗美光出品的DDR4 SDRAM芯片，以高达1.2GHz的时钟频率和4Gb的并行架构，为您的高速计算、图形处理或数据缓冲需求注入澎湃动力，轻松应对海量数据的实时读写挑战。

它更懂您的严苛要求。宽达-40°C至105°C的工作温度范围，让您的设备无惧严寒酷暑，在工业控制、汽车电子、网络通信等复杂环境中依然稳定可靠。其1.2V左右的低电压运行和紧凑的78-TFBGA封装，还能帮助您优化系统能效与空间布局，实现性能与设计的完美平衡。

• 型号:MT40A512M8RH-083E AAT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT40A512M8RH-083E AAT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。