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您正在设计需要稳定、快速数据缓冲的嵌入式系统吗？MT46V32M16FN-6 IT:C能为您提供强大的支持。这颗512Mb容量的DDR SDRAM，以167MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，让您的应用能够轻松处理高速数据流，显著提升系统响应速度。

它采用2.3V~2.7V低电压运行，并支持-40°C至85°C的宽温工作范围，确保在苛刻环境下依然高效稳定。其并联接口和紧凑的60-TFBGA封装，让您的集成设计更加灵活便捷，是工业控制、通信设备等领域的理想存储解决方案。

• 型号:MT46V32M16FN-6 IT:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16FN-6 IT:C，Micron（美光）产品一站式供应商。