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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的高性能DRAM吗？MT49H16M18FM-33:B正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的288Mb（16M x 18）并行DRAM，拥有高达300MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能轻松应对高速数据缓冲、实时处理等苛刻任务，让您的设备运行如飞。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电，在提供强劲动力的同时，有效降低了系统整体功耗，帮助您设计出更节能、更高效的产品。其紧凑的144-TFBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，让您可以灵活地将它集成到各种空间受限或环境复杂的嵌入式应用中去，从网络通信到工业控制，都能稳定可靠地运行。

• 型号:MT49H16M18FM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18FM-33:B，Micron（美光）产品一站式供应商。