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MT46V128M4P-6T:F TR 零件图片(仅供参考)

MT46V128M4P-6T:F TR
Micron 订单到达,马上发货

MT46V128M4P-6T:F TR 规格参数

还在为系统数据带宽不足而烦恼吗?让MT46V128M4P-6T:F TR为您解决核心存储瓶颈!这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片,采用高效的128M x 4并行架构,能以高达167MHz的时钟频率飞速运转,轻松处理大量数据流的实时读写任务,显著提升您的系统响应速度。

它能在2.3V~2.7V的低电压下稳定工作,帮助您优化整体功耗。其700ps的极快访问时间和标准的表面贴装封装,让您的设计集成更加高效便捷。无论是用于升级现有产品还是为经典设计提供可靠的内存支持,它都能让您的项目运行如飞,性能表现值得信赖。

  • 制造商产品型号:MT46V128M4P-6T:F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(128M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:700ps
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:66-TSSOP (szeroko 0,400,10,16mm)
  • MT46V128M4P-6T:F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT46V128M4P-6T:F TR 基本参数:

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