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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18CFM-25E:B来为您打破枷锁！这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的访问时间，能瞬间响应您的数据读写指令，让您的嵌入式系统运行如飞，轻松应对实时数据处理、高速缓冲等严苛任务。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，不仅大幅降低了系统功耗，还为您节省了宝贵的PCB空间。其0°C至95°C的宽温工作特性，更能确保设备在多种复杂环境下稳定高效运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的数据心脏。

• 型号:MT49H32M18CFM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CFM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。