我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT46V128M4FN-6:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据带宽不足而限制产品性能的发挥吗？MT46V128M4FN-6:D TR正是您突破瓶颈的利器。这颗美光512Mb DDR SDRAM，拥有128M x 4的组织结构和并行接口，能为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对多任务处理和实时数据交换的挑战。

它高达167MHz的运行频率和仅15ns的写周期时间，让数据存取如行云流水，显著提升系统整体响应速度。无论是驱动复杂的图形界面，还是处理连续的音频视频流，它都能确保流畅无卡顿。其2.3V-2.7V的低电压工作特性，还有助于您设计出更节能高效的产品。

选择这颗芯片，意味着您选择了一个成熟、稳定且经过大量验证的存储解决方案。它将让您的设计工作更高效，产品运行更可靠，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:MT46V128M4FN-6:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V128M4FN-6:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。