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M58BW016DB7T3TNX 零件图片(仅供参考)

M58BW016DB7T3TNX
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M58BW016DB7T3TNX 规格参数

您是否希望为您的嵌入式系统找到一颗反应迅速、坚若磐石的“记忆大脑”?M58BW016DB7T3TNX正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的16Mb NOR闪存芯片,能以高达70ns的访问速度响应您的指令,让系统启动和代码执行更加流畅迅捷,彻底告别等待。

它采用可靠的并联接口和2.7V-3.6V宽电压设计,让您的电源设计更灵活,系统运行更稳定。更令人放心的是,其宽广的-40°C至125°C工作温度范围,让它能从容应对极端环境挑战,无论是严冬还是酷暑,都能确保您的重要数据安全无虞。选择它,就是为您的产品选择了一份高效与可靠并存的存储保障。

  • Micron美光半导体完整型号:M58BW016DB7T3TNX
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 80PQFP
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:FLASH - NOR
  • 存储容量:16M(512K x 32)
  • 速度:70ns
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 封装/外壳:80-BQFP
  • 供应商器件封装:80-PQFP(19.9x13.9)
  • M58BW016DB7T3TNX,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M58BW016DB7T3TNX 基本参数:

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