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您正在寻找一颗能提升系统响应速度、同时兼顾低功耗的存储芯片吗？MT46H8M32LFB5-6:A TR就是您的理想伙伴。这颗美光出品的256Mb移动LPDDR SDRAM，能以高达166MHz的速度运行，配合超低的访问延迟，让您的嵌入式设备数据处理如行云流水般高效。

它专为对功耗敏感的应用优化，1.7V~1.95V的低电压供电，显著延长电池续航。无论是智能手机的辅助内存、便携式导航设备的缓存，还是工业HMI的显示缓冲，它都能轻松胜任，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借流畅体验脱颖而出。

• 型号:MT46H8M32LFB5-6:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:12ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H8M32LFB5-6:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。