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还在为系统运行卡顿、数据吞吐乏力而烦恼吗？让MT46V128M4CY-5B:J TR为您彻底解决这一难题！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，就像一位高效的数据调度官，能以高达200MHz的速度处理信息，访问时间快至700ps，让您的设备实现瞬间响应，大幅提升整体运行效率。

它采用2.5V~2.7V供电，功耗控制出色，并能在0°C至70°C的环境下稳定工作。无论是集成到工业控制器、网络设备还是其他需要可靠、高速数据缓存的电子产品中，它都能让您的设计轻松应对复杂任务，确保系统流畅、持久地高效运行。

• 制造商产品型号：MT46V128M4CY-5B:J TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V128M4CY-5B:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。