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还在为系统缓存或数据缓冲区的速度跟不上核心处理器而发愁吗？MT49H16M18BM-33:B TR就是您期待的答案。这颗美光RLDRAM 2芯片，拥有288Mb（16M x 18）的存储容量和惊人的3.3ns访问速度，专为需要极低延迟和高带宽的应用场景而生。它能作为您系统中高效的数据交换枢纽，让数据存取变得前所未有的流畅。

它能让您的网络设备轻松应对海量数据包的快速转发，让医疗成像系统实现实时的高分辨率图像处理，也能为高端测试测量仪器提供稳定可靠的高速数据暂存空间。其1.7V~1.9V的低电压设计和144-BGA紧凑封装，更助力您打造出性能强劲且设计精巧的下一代产品。选择它，就是为您的核心系统注入一剂速度强心针。

• Micron美光半导体完整型号：MT49H16M18BM-33:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS UBGA
• 系列：-
• 格式 - 存储器：RAM
• 存储器类型：RLDRAM 2
• 存储容量：288M（16M x 18）
• 速度：3.3ns
• 接口：并联
• 电压 - 电源：1.7 V ~ 1.9 V
• 工作温度：0°C ~ 95°C
• 封装/外壳：144-TFBGA
• 供应商器件封装：144-BGA （18.5x11）
• MT49H16M18BM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。