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您正在寻找一颗能大幅提升系统响应速度与能效比的存储芯片吗？MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR正是您的理想之选。它搭载512Mb大容量并行存储空间（16M x 32），以高达200MHz的时钟频率和仅5ns的快速访问时间，让您的设备能够瞬间处理海量数据，无论是复杂的算法运算还是高清图形渲染，都能流畅无延迟，显著提升终端用户体验。

这颗芯片专为严苛环境设计，其1.7V~1.95V的低电压运行特性，能有效降低系统整体功耗，延长便携设备的续航时间。同时，它具备-40°C至85°C的宽温工作能力，确保在工业、车载、户外等极端温度条件下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了高效、节能与坚固耐用的核心动力。

• 型号:MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。