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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR将彻底改变您的体验。这颗512Mb容量的移动LPDDR SDRAM，拥有高达200MHz的运行频率和仅5ns的快速访问时间，能为您的高速处理器提供源源不断的数据流，让您的应用程序运行如飞，轻松应对实时数据处理、高清图形渲染等苛刻任务。

更重要的是，它在提供强劲性能的同时，还极为体贴您的系统设计。1.7V~1.95V的低工作电压范围，能显著降低整体功耗，延长电池续航。其宽泛的-40°C至105°C工作温度范围和紧凑的90-VFBGA封装，让您能轻松将其集成到各种空间受限、环境严苛的工业、汽车及通信设备中，实现高性能与高可靠性的完美统一。

• 型号:MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。