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它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。1.1V的低电压供电设计，让它在释放强大性能的同时，显著降低系统功耗，直接延长您终端设备的电池续航时间。其宽温特性（-30°C ~ 85°C）确保了在各种严苛环境下的稳定可靠，让您的产品设计更具适应性和竞争力。选择它，就是选择了一个高效、可靠且面向未来的高性能内存解决方案。

• 制造商产品型号：MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：24Gb（384M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。