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还在为嵌入式设备的内存性能瓶颈而困扰吗？让MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR为您彻底解决难题！这颗美光出品的4Gb移动LPDDR DRAM，能为您的高速应用提供源源不断的数据动力。其166MHz的运行频率和极低的访问延迟，让您的系统处理海量数据时依然响应迅捷，轻松实现流畅的多任务操作与复杂的实时计算。

更重要的是，它能在1.8V左右的低电压下高效工作，显著降低系统整体功耗，同时其宽温特性确保在严苛环境下稳定运行。无论是工业控制、汽车电子还是高端通信设备，这颗芯片都能让您的设计在性能与能效之间找到完美平衡，助力产品脱颖而出。

• 型号:MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:240-WFBGA（14x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 240WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:240-WFBGA
• 供应商器件封装:240-WFBGA（14x14）
• MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。