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还在为嵌入式系统的存储性能与功耗发愁吗？EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR就是您期待的答案。这颗美光4Gb移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度高效处理数据，让您的设备运行如飞，同时其宽电压设计（1.14V~1.95V）让您能灵活优化功耗，轻松实现性能与续航的完美平衡。

它采用紧凑的134-WFBGA封装，为您节省宝贵的电路板空间，并能在-40°C至85°C的严苛温度下稳定工作，可靠性极高。无论是智能移动设备、便携式医疗仪器还是工业控制系统，它都能成为您产品中强劲而可靠的“记忆核心”，让您的设计脱颖而出。

• 型号:EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。