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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、能效出众的“记忆核心”吗？MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR就是您期待的答案。这颗美光4Gb移动LPDDR SDRAM，能以高达200MHz的速度运行，配合仅5ns的极速访问时间，让您的设备处理海量数据时毫无迟滞，体验流畅如飞。

它采用先进的低功耗设计，工作电压低至1.7V-1.95V，在提供强劲并行数据吞吐能力的同时，显著降低系统整体能耗，特别适合对续航和散热有要求的应用。其宽温工作特性（-25°C ~ 85°C）和可靠的BGA封装，更能让您在严苛环境下也信心十足，轻松构建稳定高效的产品。

• 制造商产品型号：MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 240WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：4Gb（128M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：240-WFBGA
• MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。