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MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR 零件图片(仅供参考)

MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR
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MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR 规格参数

还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而烦恼吗?让MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR来彻底改变这一切!这颗来自美光科技的2Gb移动LPDDR SDRAM芯片,是专为追求高效能与低功耗平衡的尖端设备而生。它以208MHz的高速时钟和仅5ns的闪电般访问时间,为您构建流畅无比的数据处理通道,无论是运行复杂的应用程序还是处理高清媒体流,都能轻松应对,瞬间响应。

它采用先进的低电压设计(1.7V~1.95V),显著降低系统整体功耗,让您的便携式设备续航更持久。其宽温工作范围(-25°C ~ 85°C)和稳定的60-VFBGA封装,确保了在各种严苛环境下的可靠运行。选择它,就是为您的智能终端、工业控制或车载系统植入一颗强劲而冷静的“数据心脏”,让产品体验脱颖而出。

  • 型号:MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-VFBGA(8x9)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:208 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:14.4ns
  • 访问时间:5 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-VFBGA
  • 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9)
  • MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR 基本参数:

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