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还在为嵌入式系统的数据缓冲区性能而烦恼吗？让MT46V32M16TG-5B:F来为您解决！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，就像您系统中的一个高速、宽敞的临时工作台。它以200MHz的频率高效运作，配合仅700ps的访问时间，能让您的处理器快速存取中间数据，显著提升整体运行效率。

它采用2.5V低电压设计，在保证强劲数据吞吐能力的同时，帮助您更好地控制功耗。无论是处理复杂的控制逻辑，还是缓存大量的流媒体数据，它都能轻松胜任，让您的设备响应更迅捷，运行更稳定。选择它，就是为您的产品注入一颗久经考验的“性能之心”。

• 型号:MT46V32M16TG-5B:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-5B:F，Micron（美光）产品一站式供应商。