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还在为寻找一颗能扛重任、性能卓越的DDR2内存而烦恼吗？MT47H128M16RT-25E AIT:C正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行DRAM，能以高达400MHz的速度疾速处理数据，让您的系统响应快人一步，轻松应对密集的数据读写任务。

它为您提供128M x 16的宽大存储空间，配合仅1.8V左右的核心电压，在实现高效能的同时兼顾了能效表现。更关键的是，其坚固的设计支持-40°C到95°C的宽温工作范围，让您的设备无论处于严寒还是酷热环境，都能稳定运行，极大提升了产品的可靠性与适用场景。选择它，就是为您的设计注入强大、稳定且高效的内存动力。

• 型号:MT47H128M16RT-25E AIT:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（9x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（9x12.5）
• MT47H128M16RT-25E AIT:C，Micron（美光）产品一站式供应商。