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还在为嵌入式系统寻找既快又省电的存储方案吗？MT45W4MW16BFB-708 WT这颗64Mb并行PSRAM芯片，正是为您的高要求应用量身打造。它采用伪SRAM技术，让您无需复杂的外部刷新电路，就能获得高达70ns的快速数据访问体验，同时1.7V~1.95V的低电压供电让系统功耗大幅降低。

这颗芯片能为您做什么？它就像您设备中的高速数据中转站，以4M x 16的并行架构，轻松处理工业控制、车载电子、智能物联网设备中的实时数据流。其54-VFBGA小型化封装和宽温工作特性，让您的设计更紧凑，产品适应性更强，助您轻松构建高效、可靠且具有成本竞争力的终端解决方案。

• 制造商产品型号：MT45W4MW16BFB-708 WT
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：盒
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：PSRAM
• 技术：PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
• MT45W4MW16BFB-708 WT，Micron（美光）产品一站式供应商。