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MT45W4MW16BFB-708 L WT TR 零件图片(仅供参考)

MT45W4MW16BFB-708 L WT TR
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MT45W4MW16BFB-708 L WT TR 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗既快又省心的“内存大脑”吗?MT45W4MW16BFB-708 L WT TR就是您的理想答案。这颗美光64Mb PSRAM芯片,能为您提供高达70ns的快速数据访问与写入能力,让您的应用处理器无需等待,高效处理海量实时数据。

它采用创新的伪静态随机存取技术,让您无需设计复杂的刷新电路,即可获得类似SRAM的简便接口体验,同时兼顾了成本效益。其1.7V~1.95V的低电压运行和宽温范围特性,更能轻松应对各类便携式、工业及车载环境下的严苛挑战,是提升系统整体可靠性与能效表现的秘密武器。

  • 制造商产品型号:MT45W4MW16BFB-708 L WT TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:64Mb(4M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT45W4MW16BFB-708 L WT TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT45W4MW16BFB-708 L WT TR 基本参数:

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