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还在寻找一颗能扛重任、历经考验的存储核心吗？MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E就是您的答案。这颗来自美光科技的2Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您的高速嵌入式应用提供稳定可靠的数据仓库，让您的设备数据处理更加高效流畅。

它拥有256M x 8的经典组织架构，工作电压范围宽达2.7V至3.6V，并能从容应对-40°C到85°C的极端温度挑战。无论是工业控制、网络通信还是需要长期数据保存的各类设备，它都能轻松融入，提供非易失的可靠存储，确保您的关键信息永不丢失。选择它，就是为您的产品选择了一份久经沙场的稳健与从容。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E，Micron（美光）产品一站式供应商。