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还在为嵌入式系统寻找一颗既快速又经济的内存芯片吗？MT45W4MW16BFB-706 L WT TR就是您的理想答案。这颗美光64Mb PSRAM，采用成熟的伪SRAM技术，为您提供高达70ns的快速数据访问与写入能力，让您的应用处理实时数据时轻松自如，毫无拖沓。

它拥有4M x 16的并行接口和1.7V~1.95V的低电压工作范围，能高效配合您的主控芯片，显著降低整体系统功耗。无论是智能穿戴设备的流畅交互，还是工业控制器的可靠运行，它都能稳定胜任。其54-VFBGA小型化封装和宽温特性，更让您的产品设计可以灵活应对各种紧凑与严苛的环境挑战。

• 型号:MT45W4MW16BFB-706 L WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
• MT45W4MW16BFB-706 L WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。