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还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、运行稳定的数据“心脏”吗？MT46V128M4BN-6:D TR就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM，能以高达167MHz的时钟频率和仅700ps的访问速度高效工作，让您的设备在处理实时数据、运行复杂程序时毫无迟滞感，体验极致的流畅性能。

它采用128M x 4的并联架构和2.3V~2.7V宽电压设计，不仅提供了强大的数据吞吐带宽，还确保了在多变供电环境下的稳定运行。无论是工业控制、网络设备还是需要可靠存储支持的高端应用，它都能轻松胜任，成为您系统中值得信赖的高速数据仓库。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-6:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V128M4BN-6:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。