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还在寻找一颗能同时点燃性能并呵护功耗的核心内存吗？MT41K512M8DA-125:P TR正是您的理想答案。这颗美光4Gb DDR3L SDRAM芯片，以800MHz的高速时钟和仅1.35V左右的工作电压，为您带来强劲的数据吞吐能力，同时大幅降低系统能耗，让您的设备在高效运行与长久续航间取得完美平衡。

它采用先进的78-TFBGA小型化封装，帮助您轻松实现高密度板级设计，节省宝贵空间。无论是应对工业控制中的实时数据处理，还是满足消费电子对多任务流畅度的严苛要求，它都能提供稳定可靠的大容量存储支持。选择它，就是为您的产品注入一颗经过验证的、高效而强健的“数据心脏”。

• 型号:MT41K512M8DA-125:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K512M8DA-125:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。