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当您的设计需要一颗在性能与功耗间取得完美平衡的内存芯片时，MT48H8M16LFB4-8 IT:J正是为您而来的解决方案。它基于美光成熟的移动低功耗SDRAM技术，为您提供128Mb（8Mx16）的并行存储空间，并以高达125MHz的时钟频率和仅7ns的访问时间，让您的系统数据处理变得快速而流畅。

这颗芯片专为严苛环境而生，其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，让您的设备无惧酷暑与严寒。同时，1.7V~1.9V的低电压供电特性，能显著降低系统整体功耗，轻松延长电池供电设备的续航。选择它，就是为您的嵌入式应用选择了一个可靠、高效且省心的数据伙伴。

• 型号:MT48H8M16LFB4-8 IT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:125 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:7 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x8）
• MT48H8M16LFB4-8 IT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。