我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能让您的设备“大脑”飞速运转的“记忆体”吗？MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，以其并联接口和167MHz的高时钟频率，为您带来高速的数据读写体验，显著缩短系统加载和响应时间，让应用程序运行如丝般顺滑。

它拥有32G x 8的存储结构，为您提供海量的非易失存储空间，无论是存储复杂的操作系统、大量的用户数据还是持续的视频流，都游刃有余。其2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了在各种供电和环境条件下的稳定表现，让您的设计更从容，产品更可靠。选择它，就是为您的项目选择了一份高效与稳定的保障。

• 型号:MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-TBGA
• 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
• MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。