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还在寻找能驾驭高速数据洪流的内存解决方案吗？MT44K64M18RB-093E:A就是您的答案。这颗美光RLDRAM 3芯片，拥有1.125Gb（64Mb x 18）的大容量和高达1067MHz的运行频率，专为需要超高带宽和极低延迟的应用场景打造。它能轻松化解网络核心设备、高级信号处理系统中的数据拥堵，让您的系统吞吐效率倍增。

它为您带来的，是确定性的高性能体验。8ns的快速访问时间和并联接口，确保了数据读写的实时性与稳定性，让关键任务处理再无后顾之忧。其宽电压（1.28V~1.42V）与宽温（0°C~95°C）特性，进一步提升了它在各种复杂环境下的可靠性与适应性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的数据心脏。

• 型号:MT44K64M18RB-093E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-093E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。