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还在为移动设备的运行速度与多任务能力而烦恼吗？MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR就是您期待的答案。这颗16Gb容量的LPDDR4移动内存，能以高达2133MHz的速度疾速响应，为您的高端智能设备注入强大动力，无论是处理复杂的图形渲染还是运行多个大型应用，都能让您体验到前所未有的流畅与迅捷。

它采用高效的1.1V低电压设计，在提升性能的同时，智能管理能耗，有效延长您的设备续航。其坚固的200-WFBGA封装和宽达-40°C至105°C的工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作。简而言之，这颗芯片能让您的产品轻松实现高性能、低功耗与高可靠性的完美平衡，助您在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。