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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而烦恼吗？让美光MT42L256M64D4EV-18 WT:A TR为您带来颠覆性的体验。这颗16Gb容量的移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度高效处理海量数据，其并联接口和宽位架构（256M x 64）如同为您的应用处理器配备了一条专属数据超车道，显著提升系统整体响应速度和多任务处理能力。

更重要的是，它能在1.14V~1.3V的低电压下稳定运行，在提供强劲性能的同时，大幅降低系统功耗与发热，完美契合移动设备、便携式终端对长续航和低温升的严苛要求。其表面贴装的253-TFBGA封装也极为紧凑，帮助您优化PCB空间布局。选择它，就是选择了一个能让您的产品运行更流畅、更高效、更冷静的可靠核心。

• 型号:MT42L256M64D4EV-18 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:253-FBGA（11x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT PAR 253FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:256M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:253-TFBGA
• 供应商器件封装:253-FBGA（11x11）
• MT42L256M64D4EV-18 WT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。