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还在为嵌入式系统寻找一颗既能扛住高性能运算，又兼顾能效比的“心脏”吗？MT41K512M8V00HWC1正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的4Gb DDR3L SDRAM芯片，采用先进的低电压设计（1.35V典型值），能显著降低系统整体功耗，让您的设备运行更持久、更凉爽。

它拥有512M x 8的并行架构，为您提供高速、宽裕的数据通道，轻松应对工业控制、网络通信、高端消费电子等场景下的密集数据读写需求。其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）确保了在严苛环境下的稳定表现，让您的产品设计更具鲁棒性和竞争力。选择它，就是为您的项目注入高效、可靠的存储动力。

• 型号:MT41K512M8V00HWC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT41K512M8V00HWC1，Micron（美光）产品一站式供应商。