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还在寻找一颗能同时满足大容量、高可靠性与出色能效的存储芯片吗？MT29F1G08ABCHC:C TR就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您的高速嵌入式系统提供迅捷的数据读写通道，让您的设备处理海量信息时依然流畅自如。

它工作在1.7V~1.95V的低电压范围，显著降低系统功耗，助您轻松设计出更节能的产品。其0°C至70°C的宽工作温度范围和紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让它可以稳定可靠地集成到各种工业控制、网络通信及消费电子设备中，应对复杂环境挑战。选择它，就是为您的核心设计注入一份经久耐用的存储力量。

• 型号:MT29F1G08ABCHC:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G08ABCHC:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。