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还在寻找一颗能扛起数据重担、确保系统流畅运行的可靠内存芯片吗？MT41K512M8RH-107:E正是您需要的答案。这颗来自美光科技的4Gb DDR3L SDRAM，以其高达933MHz的运行速度和仅20ns的访问时间，能显著提升您系统的数据吞吐效率，让复杂任务处理变得轻松流畅。

它采用低至1.35V的标准工作电压，不仅高效更能节能，帮助您的设备降低整体功耗。其宽温（0°C ~ 95°C）特性和成熟的78-TFBGA封装工艺，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行。无论是用于工业控制、网络通信还是高性能嵌入式系统，它都能成为您产品中值得信赖的数据核心，让您的设计更具竞争力。

• 型号:MT41K512M8RH-107:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-107:E，Micron（美光）产品一站式供应商。