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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？让MT41K256M16LY-107:N为您开启高效数据处理的崭新篇章。这颗4Gb容量的DDR3L SDRAM芯片，能以高达933MHz的速度并行处理数据，为您的高性能计算、网络通信或图形处理应用提供充沛且迅捷的内存带宽，彻底释放系统潜力。

它采用先进的1.35V低电压技术，在您追求极致性能的同时，显著优化整体能效，让您的设备运行更冷静、更持久。其工业级的温度适应性和可靠的96-TFBGA封装，确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，是您构建坚固耐用产品的理想选择。选择它，就是选择了一份经市场验证的可靠与高效。

• 型号:MT41K256M16LY-107:N
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT41K256M16LY-107:N，Micron（美光）产品一站式供应商。