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还在寻找一颗能彻底释放您系统潜力的高性能内存芯片吗？MT49H8M36SJ-25:B正是您期待的答案。这颗美光科技的288Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能为您的高速处理器提供源源不断的“数据燃料”，让复杂计算、实时数据处理和多任务操作变得前所未有的流畅与高效。

它采用先进的1.8V左右低电压设计，在保证强大性能的同时，有效控制功耗，让您的设备运行更持久、更冷静。其144-TFBGA表面贴装封装，结构紧凑，易于集成到各种空间受限的现代设计中。无论是网络设备、工业控制还是高端嵌入式应用，选择它，就是选择了一个稳定、可靠且性能卓越的内存解决方案，让您的产品设计轻松跨越性能门槛，赢得市场先机。

• 型号:MT49H8M36SJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。