我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41J64M16JT-125E:G现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为成熟系统寻找一颗久经考验、性能稳定的内存芯片吗？MT41J64M16JT-125E:G正是您理想的答案。这颗美光科技的1Gb DDR3 SDRAM，以800MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速数据处理需求提供强劲支持，让您的设备运行如飞。

它采用紧凑的96-TFBGA封装，易于集成，能帮助您高效利用电路板空间。其宽电压（1.425V~1.575V）与宽工作温度（0°C~95°C）特性，确保了在各种复杂环境下的出色稳定性和可靠性。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或特定消费电子产品，选择了一份历经市场验证的持久动力。

• 型号:MT41J64M16JT-125E:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41J64M16JT-125E:G，Micron（美光）产品一站式供应商。