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还在为嵌入式系统的数据存储速度与可靠性烦恼吗？让NAND512W3A2SZAXE为您带来改变！这颗由美光科技出品的512Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的极速访问时间，让您的系统数据读写如飞，彻底告别等待。

它拥有64M x 8的存储结构，宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，让您的设备无论处于何种严苛环境，都能稳定高效地工作。采用紧凑的63-TFBGA封装，为您节省宝贵的电路板空间，轻松集成到工业控制、汽车电子或网络设备等应用中，是提升产品竞争力的智能存储之选。

• 型号:NAND512W3A2SZAXE
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512W3A2SZAXE，Micron（美光）产品一站式供应商。