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您正在寻找一颗能驱动高性能嵌入式系统稳定运行的内存芯片吗？MT48V8M32LFB5-8 TR正是您理想的解决方案。这颗由美光科技打造的256Mb并行移动低功耗SDRAM，拥有8M x 32的组织结构，能以高达125MHz的时钟频率和7ns的极速访问时间，让您的数据吞吐流畅无阻，显著提升系统响应效率。

它采用先进的移动LPSDR技术，工作电压仅需2.3V至2.7V，在提供强大并行处理能力的同时，实现了出色的能效比，让您的设备运行更节能、更持久。无论是面对工业控制板的复杂逻辑运算，还是通信设备的实时数据缓存，它都能轻松胜任，其90-VFBGA的紧凑封装更让您的PCB布局设计游刃有余。

• 型号:MT48V8M32LFB5-8 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:125 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:7 ns
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48V8M32LFB5-8 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。