我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的存储核心吗？MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR正是为您而来！这颗美光科技的1Gb并行NAND闪存，能轻松为您的工业控制、汽车电子或网络设备提供海量、非易失的数据存储空间，确保关键信息在断电后也安全无虞。

它凭借1.7V~1.95V的低功耗设计和-40°C至85°C的宽温工作能力，让您的产品在极端环境下也能高效稳定运行，大幅提升系统可靠性。其经典的并行接口结构，确保了快速的数据存取速度，让您的应用处理流程更加流畅高效。选择它，就是为您的成熟设计选择了一个经过市场验证的可靠伙伴。

• 型号:MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。