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MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR
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MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR 规格参数

还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗?MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR正是您期待的解决方案。这颗来自美光科技的LPDDR4 DRAM芯片,专为追求极致能效与速度的应用而生,它能为您的高端移动设备、嵌入式系统注入强大的数据处理心脏。

它让您的设备在多任务处理时响应如飞,运行大型应用或游戏时流畅不卡顿,同时显著降低整体功耗,有效延长电池续航。选择它,就是选择了一种高效、可靠的性能提升方式,让您的产品设计更从容,用户体验更出色。

  • 制造商产品型号:MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM LPDDR4 BGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:-
  • 技术:-
  • 存储容量:-
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR 基本参数:

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