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还在为系统卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT40A512M8HX-093E:A为您带来焕然一新的体验！这颗美光出品的4Gb DDR4并行DRAM芯片，是您提升设备性能的得力助手。它拥有高达1067MHz的运行速度，能轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的应用程序运行如飞，彻底告别等待。

它采用先进的1.2V低电压设计，在为您提供强大算力支撑的同时，显著优化能效，帮助降低系统整体功耗与发热。无论是复杂的工业控制、高速的网络通信，还是要求严苛的嵌入式计算，这颗芯片都能以其稳定可靠的性能，确保您的核心系统高效、流畅地运转，助您轻松构建更具竞争力的硬件平台。

• 型号:MT40A512M8HX-093E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT40A512M8HX-093E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。