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MT40A2G4WE-083E:B 零件图片(仅供参考)

MT40A2G4WE-083E:B
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MT40A2G4WE-083E:B 规格参数

还在寻找能瞬间提升系统响应速度的秘诀吗?MT40A2G4WE-083E:B就是答案。这颗美光DDR4 SDRAM芯片,拥有8Gb(2G x 4)的大容量和高达1.2GHz的运行速度,能像高速公路一样让数据极速通行,显著减少处理器等待时间,让您的应用程序运行得更流畅、更高效。

它采用先进的78-TFBGA封装和1.2V左右的工作电压,在提供强大性能的同时也兼顾了能效与集成度。宽泛的工作温度范围(0°C ~ 95°C)让它能适应从数据中心到工业现场的多种环境挑战。选择它,就是为您的设计选择了一份经过验证的稳定与高效,让您轻松应对海量数据处理的严苛要求。

  • 型号:MT40A2G4WE-083E:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:2G x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.2 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x12)
  • MT40A2G4WE-083E:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT40A2G4WE-083E:B 基本参数:

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