我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT40A2G4WE-075E:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统内存带宽不足而烦恼吗？让MT40A2G4WE-075E:B为您带来改变！这颗来自美光科技的8Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借其1.33GHz的高时钟频率和并联接口，能瞬间提升您的设备数据处理吞吐量，让海量信息流转如飞，轻松应对高性能计算与实时处理的严苛挑战。

它采用先进的低电压设计（1.14V~1.26V），在提供强劲性能的同时，显著优化能效，帮助您打造更节能、更环保的产品解决方案。其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）和可靠的78-TFBGA封装，确保了在各种复杂环境下的长期稳定运行，是您构建数据中心、网络设备或工业控制系统的坚实内存基石。

• 型号:MT40A2G4WE-075E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.33 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A2G4WE-075E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。